Исследование степени кристалличности пленок Ge2Sb2Te5 методами фотометрии отражения и пропускания

Для оценки степени кристалличности Ge₂Sb₂Te₅ (GST) в данной работе мы использовали метод фотометрии отражения и пропускания и приближение эффективной среды типа Брюйггемана. Установлено, что  изменение энергии и длительности лазерного импульса приводит к изменению соотношения кристаллической и аморфной фракций, что наблюдается по изменению степени кристалличности. Также установлено,
что увеличение доли кристаллитов приводит к увеличению показателя преломления и коэффициента экстинкции для телекоммуникационной длины волны 1550 нм, что также приводит к изменению отражательной и пропускательной способностей пленки GST и будет использовано для осуществления модуляции и переключения сигналов.