Продольная проводимость тонких пленок и гетероструктур, основанных на LaF3-SrF2

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

Методом импедансной спектроскопии в температурном диапазоне от 300 до 570 K и частотном диапазоне от 0.1 Гц до 1 МГц, была измерена продольная проводимость тонких пленок La[1-x]Sr[x]F[3-x] (x = 0 ÷ 0,24) на подложках ситалла, Al[2]O[3], CaF[2] (111) и MgO (100), а также продольная проводимость гетероструктур LaF[3]-SrF[2] на подложках MgO (100).