Электронный транспорт в напряженных сверхрешетках AlInGaAs/AlGaAs

Экспериментально и теоретически исследован транспорт поляризованных электронов в фото-катодах на основе полупроводниковой, сильно напряженной сверхрешетки. Экспериментальное исследование основано на измерении с разрешением по времени электронной эмиссии из фотокатода после его фотовозбуждения фемтосекундным лазерным импульсом. Экспериментально определены времена фотоотклика сверхрешеток с различным числом периодов. Проведены расчеты фотооклика катодов и результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Сделан вывод о наличии в свехрешетке частичной локализации фотоэлектронов. Показано, что электронная локализация подавляет электронный транспорт и сильно ограничивает квантовую эффективность фотокатодов.