Источник поляризованных электронов на основе напряженной сверхрешетки AlInGaAs/AlGaAs

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Герчиков Леонид Григорьевич Мамаев Юрий Алексеевич Яшин Юрий Петрович Кузьмичев Виталий Валерьевич
Аннотация:

Разработан оптимальный состав свехрешетки AlInGaAs/AlGaAs с напряженными квантовыми ямами для рабочей области источника поляризованных электронов. Выбор оптимальных составов и толщин гетерослоев проведен на основе расчетов энергетического зонного спектра сверхрешетки, спектра фотопоглощения и транспортных свойств. Максимальная поляризация фотоэмиссии из фотокатодов на основе разработанной сверхрешетки превышает 90 %.